IXTN8N150L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.5 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

7.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

250 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

545 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

IXTN8N150

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S

Otoño:

95 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

36 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXTN, IXT