IPD90P04P4L04ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

135 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

XPD90P04

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

140 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Parte # Alias:

IPD90P04P4L-04 IPD9P4P4L4XT SP000840194

Unidad de peso:

0.017284 oz

Tags

IPD90P04P4L, IPD90P04, IPD90P, IPD90, IPD9, IPD