MMDT5551-7-F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

160 V

Colector- Voltaje base VCBO:

180 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MMDT55

Ganancia de corriente CC hFE Max:

250

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

0.2 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

80

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

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