2N7002WT3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-70-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

310 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

280 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.24 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.2 ns

Unidad de peso:

0.000219 oz

Tags

2N7002WT, 2N7002W, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7