RN1101MFV,L3F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - Pre-polarizados

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

NPN

Resistencia de entrada típica:

4.7 kOhms

Relación de resistencia típica:

1

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VESM-3

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

30

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Corriente continua del colector:

100 mA

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

RN1101

Embalaje:

Carrete

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

10 V

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.2 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Escribe:

Transistor de silicio epitaxial NPN

Ancho:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Número de canales:

1 Channel

Modo de canal:

Mejora

Tipo de producto:

BJTs - Transistores bipolares - Pre-polarizados

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

Transistores

Tags

RN1101M, RN1101, RN110, RN11, RN1