CSD85302LT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-4

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

680 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.22 mm

Longitud:

1.35 mm

Serie:

CSD85302L

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

99 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

54 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

173 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Unidad de peso:

0.000042 oz

Tags

CSD8530, CSD85, CSD8, CSD