STI18N65M5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

198 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

31 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

110 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

STI18N65M5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.050717 oz

Tags

STI18N6, STI18N, STI18, STI1, STI