PD20010S-E

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Ganar:

11 dB

Potencia de salida:

10 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerSO-10RF-Straight-4

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Altura:

3.5 mm

Longitud:

7.5 mm

Frecuencia de operación:

2 GHz

Serie:

PD20010-E

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

9.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

59 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Unidad de peso:

0.105822 oz

Tags

PD20010, PD2001, PD200, PD20, PD2