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TK290P60Y,RQ

TK290P60Y,RQ
Mfr. #:
TK290P60Y,RQ
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK290P60Y,RQ Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK290P60Y,RQ DatasheetTK290P60Y,RQ Datasheet (P4-P6)TK290P60Y,RQ Datasheet (P7-P9)TK290P60Y,RQ Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK290P60Y,RQ más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
DPAK-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
11.5 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
230 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
25 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
-
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
100 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
DTMOSV
Embalaje:
Carrete
Serie:
TK290P60Y
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Toshiba
Otoño:
8.5 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
25 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
2000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
170 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
65 ns
Tags
TK290P60, TK290P, TK290, TK29, TK2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Dpak(Os) Pd=100W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***et
Power MOSFET N-Channel 600V 11.5A 3-Pin DPAK T/R
***ical
Silicon N-Channel MOSFETs
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Imagen Parte # Descripción
ESP8266EX

Mfr.#: ESP8266EX

OMO.#: OMO-ESP8266EX

 RF System on a Chip - SoC SMD IC ESP8266EX, QFN32-pin, 5*5mm
AT25PE20-SSHN-B

Mfr.#: AT25PE20-SSHN-B

OMO.#: OMO-AT25PE20-SSHN-B

 NOR Flash 2Mb 1.65V-3.6V SPI 85MHz IND TEMP
AT25SF081-SSHD-T

Mfr.#: AT25SF081-SSHD-T

OMO.#: OMO-AT25SF081-SSHD-T

 NOR Flash 8Mb, 2.5V, 85Mhz Serial Flash
STB18N60M6

Mfr.#: STB18N60M6

OMO.#: OMO-STB18N60M6

 MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
M74VHC1G132DFT1G

Mfr.#: M74VHC1G132DFT1G

OMO.#: OMO-M74VHC1G132DFT1G

 Logic Gates 2-5.5V Single 2-Input NAND Schmitt
EMK107BB7225KA-T

Mfr.#: EMK107BB7225KA-T

OMO.#: OMO-EMK107BB7225KA-T

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 16VDC 2.2uF 10% X7R
BM71BLES1FC2-0002AA

Mfr.#: BM71BLES1FC2-0002AA

OMO.#: OMO-BM71BLES1FC2-0002AA

 Bluetooth Modules (802.15.1) BT 4.2 BLE Module Shielded Ant
L-07C2N2SV6T

Mfr.#: L-07C2N2SV6T

OMO.#: OMO-L-07C2N2SV6T

 Fixed Inductors 2.2nH
ESP8266EX

Mfr.#: ESP8266EX

OMO.#: OMO-ESP8266EX-ESPRESSIF-SYSTEMS

 SMD IC ESP8266EX, QFN32-PIN, 5_5
STB18N60M6

Mfr.#: STB18N60M6

OMO.#: OMO-STB18N60M6-1190

 N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1988
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,61 US$
1,61 US$
10
1,29 US$
12,90 US$
100
1,13 US$
113,00 US$
500
0,87 US$
437,00 US$
1000
0,69 US$
691,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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