MRF6V10010NR4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Ganar:

25 dB

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PLD-1.5

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Fuente dual única

Altura:

1.83 mm

Longitud:

6.73 mm

Frecuencia de operación:

960 MHz to 1400 MHz

Serie:

MRF6V10010N

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

5.97 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V

Parte # Alias:

935321297531

Unidad de peso:

0.009877 oz

Tags

MRF6V10, MRF6V1, MRF6V, MRF6, MRF