TSM60N1R4CH

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

880 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Qg - Carga de puerta:

7.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

38 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1875

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

C5G TSM60N1R4CH

Unidad de peso:

0.011993 oz

Tags

TSM60N1, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM