MJD18002D2T4G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

450 V

Colector- Voltaje base VCBO:

1 kV

Emisor- Voltaje base VEBO:

11 V

Corriente máxima del colector de CC:

2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

13 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

2.38 mm (Max)

Longitud:

6.73 mm (Max)

Embalaje:

Carrete

Ancho:

6.22 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

14

Pd - Disipación de energía:

50000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

MJD18, MJD1, MJD