DMP2160UFDBQ-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN2020-B-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

68 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

900 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

6.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMP2160

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

27.54 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.09 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55.34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.51 ns

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