SI4554DY-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

13.3 nC, 41.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W, 3.2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

25 S, 27 S

Otoño:

7 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns, 10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns, 50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 10 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

SI4554, SI455, SI45, SI4