IXTN110N20L2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

500 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

735 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Linear L2

Embalaje:

Tubo

Altura:

12.22 mm

Longitud:

38.23 mm

Serie:

IXTN110N20

Escribe:

Linear L2 Power MOSFET

Ancho:

25.42 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

55 S

Otoño:

135 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

100 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXTN1, IXTN, IXT