IXTA06N120P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263AA-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

600 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

34 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

13.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

42 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.5 mm

Longitud:

9.9 mm

Serie:

IXTA06N120

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.2 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

0.28 S

Otoño:

34 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

37 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTA06, IXTA0, IXTA, IXT