IXTA42N25P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

42 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

84 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.5 mm

Longitud:

9.9 mm

Serie:

IXTA42N25

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.2 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

81 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTA42N25, IXTA42N2, IXTA42, IXTA4, IXTA, IXT