QSL12TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

120 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

320 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

QSL12

Ganancia de corriente CC hFE Max:

680

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

270

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

QSL12

Tags

QSL12, QSL1, QSL