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FS45MR12W1M1B11BOMA1

FS45MR12W1M1B11BOMA1
Mfr. #:
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
Discrete Semiconductor Modules
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
FS45MR12W1M1B11BOMA1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
FS45MR12W1M1B11BOMA1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Y
Producto:
Módulos MOSFET de potencia
Escribe:
Módulo EasyPACK
Vf - Voltaje directo:
4.6 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
- 10 V, 20 V
Estilo de montaje:
Montaje con tornillo
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Hex
Marca:
Infineon Technologies
Polaridad del transistor:
Canal N
Otoño:
16.4 ns
Id - Corriente de drenaje continua:
25 A
Pd - Disipación de energía:
20 mW
Tipo de producto:
Módulos de semiconductores discretos
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
45 mOhms
Hora de levantarse:
6.3 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
24
Subcategoría:
Módulos de semiconductores discretos
Tiempo de retardo de apagado típico:
35.2 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
8.2 ns
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
1200 V
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3.45 V
Parte # Alias:
SP001686600
Tags
FS45, FS4
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
1200V CoolSiC™ Modules
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # V99:2348_21383680		Infineon Technologies AGCool SiC Trench MOSFET0
  • 24:$113.1000
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # V36:1790_21383680		Infineon Technologies AGCool SiC Trench MOSFET0
  • 24:$105.2100
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE 1200V 50A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		5In Stock
  • 24:$127.3512
  • 1:$133.6700
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # FS45MR12W1M1B11BOMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET Array Six N-CH 1200V 45mOhm Easy1B - Trays (Alt: FS45MR12W1M1B11BOMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 24
Container: Tray		Americas - 0
  • 240:$108.7900
  • 144:$111.4900
  • 96:$114.2900
  • 48:$117.1900
  • 24:$118.7900
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 93AC7024		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:25A,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,On Resistance Rds(on):0.045ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-,Threshold Voltage Vgs:4.5V,Power RoHS Compliant: Yes72
  • 25:$127.7100
  • 10:$130.4500
  • 5:$136.8300
  • 1:$139.5700
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 726-FS45MR12W1M1B11B		Infineon Technologies AGDiscrete Semiconductor Modules
RoHS: Compliant		22
  • 1:$138.1900
  • 5:$135.4800
  • 10:$129.1600
  • 25:$126.4500
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 2986380		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A52
  • 10:£87.0800
  • 5:£97.8500
  • 1:£99.7500
FS45MR12W1M1B11BOMA1
DISTI # 2986380		Infineon Technologies AGMOSFET MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
RoHS: Compliant		54
  • 1:$184.4700
Imagen Parte # Descripción
FF8MR12W2M1B11BOMA1

Mfr.#: FF8MR12W2M1B11BOMA1

OMO.#: OMO-FF8MR12W2M1B11BOMA1

 Discrete Semiconductor Modules EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.
IKY40N120CH3XKSA1

Mfr.#: IKY40N120CH3XKSA1

OMO.#: OMO-IKY40N120CH3XKSA1

 IGBT Transistors
SCT3080ALGC11

Mfr.#: SCT3080ALGC11

OMO.#: OMO-SCT3080ALGC11

 MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
SCT3080KLGC11

Mfr.#: SCT3080KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3080KLGC11

 MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
BBB01-SC-505

Mfr.#: BBB01-SC-505

OMO.#: OMO-BBB01-SC-505

 Single Board Computers Beaglebone Black Rev C
SCT3080KLGC11

Mfr.#: SCT3080KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3080KLGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
SCT3040KLGC11

Mfr.#: SCT3040KLGC11

OMO.#: OMO-SCT3040KLGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N
SCT3080ALGC11

Mfr.#: SCT3080ALGC11

OMO.#: OMO-SCT3080ALGC11-ROHM-SEMI

 MOSFET N-CH 650V 30A TO247
IKY40N120CH3XKSA1

Mfr.#: IKY40N120CH3XKSA1

OMO.#: OMO-IKY40N120CH3XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IGBT 1200V 80A TO247-4
BBB01-SC-505

Mfr.#: BBB01-SC-505

OMO.#: OMO-BBB01-SC-505-GHI-ELECTRONICS

 Beagle Bone Black
Disponibilidad
Valores:
46
En orden:
2029
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El precio actual de FS45MR12W1M1B11BOMA1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
138,19 US$
138,19 US$
5
135,48 US$
677,40 US$
10
129,16 US$
1 291,60 US$
25
126,45 US$
3 161,25 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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