CSD83325LT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

BGA-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

950 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

8.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.3 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.2 mm

Longitud:

2.2 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

CSD83325L

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.15 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

36 S

Otoño:

589 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

353 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

711 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

205 ns

Unidad de peso:

0.000053 oz

Tags

CSD8, CSD