BSZ100N06NS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-TSDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

36 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

16 S

Otoño:

2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

BSZ100N06NSATMA1 SP001067006

Unidad de peso:

0.001249 oz

Tags

BSZ100N06N, BSZ100N06, BSZ100, BSZ10, BSZ1, BSZ