UT6J3TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HUML2020L-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

8.5 nC, 8.5 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

4 S, 4 S

Otoño:

35 ns, 35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns, 30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

120 ns, 120 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 10 ns

Parte # Alias:

UT6J3

Tags

UT6J3, UT6J, UT6