2SK3607-01MR

2SK3607-01MR
Mfr. #:
2SK3607-01MR
Fabricante:
FUJITSU
Descripción:
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V,0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
2SK3607-01MR Ficha de datos
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
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Fabricante
FUJITSU
categoria de producto
Chips de IC
Tags
2SK360, 2SK36, 2SK3, 2SK
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Packaging Boxes
*** Source Electronics
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
2SK3607-01MR
DISTI # FE0000000000495
Fuji Electric Co LtdPower Field-Effect Transistor,13AI(D),200V,0.17ohm, 1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET,TO-220AB
RoHS: Compliant
0 in Stock0 on Order
  • 500:$0.7000
  • 1:$0.7538
2SK3607-01MR-S25PP-P
DISTI # FE0000000003817
Fuji Electric Co LtdMOSFET
RoHS: Compliant
0 in Stock0 on Order
    Imagen Parte # Descripción
    2SK3604-01SJ-TE24JR

    Mfr.#: 2SK3604-01SJ-TE24JR

    OMO.#: OMO-2SK3604-01SJ-TE24JR-1190

    MOSFET
    2SK360

    Mfr.#: 2SK360

    OMO.#: OMO-2SK360-1190

    Nuevo y original
    2SK360-IGE

    Mfr.#: 2SK360-IGE

    OMO.#: OMO-2SK360-IGE-1190

    Nuevo y original
    2SK3606-01

    Mfr.#: 2SK3606-01

    OMO.#: OMO-2SK3606-01-1190

    MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 131 Milliohms, ID +/-18A, TO-220AB, PD 105W
    2SK3607-01MR

    Mfr.#: 2SK3607-01MR

    OMO.#: OMO-2SK3607-01MR-1190

    Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V,0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
    2SK360IGETL-EQ

    Mfr.#: 2SK360IGETL-EQ

    OMO.#: OMO-2SK360IGETL-EQ-1190

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    2SK360IGETR/IGE

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    OMO.#: OMO-2SK360IGETR-IGE-1190

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    2SK360IGF

    Mfr.#: 2SK360IGF

    OMO.#: OMO-2SK360IGF-1190

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    2SK360IGFTL

    Mfr.#: 2SK360IGFTL

    OMO.#: OMO-2SK360IGFTL-1190

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    2SK360IGFTL-EQ , P4KE18A

    Mfr.#: 2SK360IGFTL-EQ , P4KE18A

    OMO.#: OMO-2SK360IGFTL-EQ-P4KE18A-1190

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