FDB3632-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

84 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

310 W

Configuración:

Único

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.67 mm

Serie:

FDB3632_F085

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

46 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

39 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

96 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Parte # Alias:

FDB3632_F085

Unidad de peso:

0.046296 oz

Tags

FDB363, FDB36, FDB3, FDB