TK49N65W,S1F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

49.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

160 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.95 mm

Longitud:

15.94 mm

Serie:

TK49N65W

Ancho:

5.02 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

TK49N, TK49, TK4