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SI5944DU-T1-GE3

SI5944DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5944DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI5944DU-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI5944DU-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR ChipFET Dual
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR ChipFet Dual
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
10W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
40V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
210pF @ 20V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
112 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
6.6nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
6 ns
Hora de levantarse
30 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
3.28 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
112 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
10 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
4 ns
Qg-Gate-Charge
6.6 nC
Transconductancia directa-Mín.
6.88 S
Modo de canal
Mejora
Tags
SI594, SI59, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 40V 3.28A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
***ronik
DUAL 40V 6A 100mOhm ChipFET
***
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S)
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:6000mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.171ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI5944DU-T1-GE3
DISTI # SI5944DU-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI5944DU-T1-GE3
    DISTI # 781-SI5944DU-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI5944DU-T1-GE3Vishay SiliconixPOWER, FET2920
      • 1940:$0.3630
      • 434:$0.4125
      • 1:$1.3200
      Imagen Parte # Descripción
      SI5944DU-T1-E3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5936DU-T1-GE3
      SI5944DU-T1-GE3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
      SI5944DU-T1-E3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2000
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI5944DU-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,54 US$
      0,54 US$
      10
      0,52 US$
      5,17 US$
      100
      0,49 US$
      49,01 US$
      500
      0,46 US$
      231,40 US$
      1000
      0,44 US$
      435,60 US$
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