SSM3J353F,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-346-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

125 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SSM3

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM