UT6K3TCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HUML2020L-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms, 30 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

4 nC, 4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

2.3 S, 2.3 S

Otoño:

5.1 ns, 5.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.8 ns, 5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.2 ns, 7.2 ns

Parte # Alias:

UT6K3

Tags

UT6K, UT6