FDMC8200

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-33-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

16 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

7.3 nC, 16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.9 W, 2.2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDMC8200

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

Power Trench MOSFET

Ancho:

3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

29 S, 56 S

Otoño:

1.3 ns, 6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.1 ns, 4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns, 38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns, 13 ns

Unidad de peso:

0.006561 oz

Tags

FDMC820, FDMC82, FDMC8, FDMC, FDM