IXTH10P50P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

50 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.45 mm

Longitud:

16.24 mm

Serie:

IXTH10P50

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia PolarP

Ancho:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

6.5 S

Otoño:

44 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

52 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXTH10P, IXTH10, IXTH1, IXTH, IXT