RCX080N25

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

460 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

15 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.23 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

RCX080N25

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Parte # Alias:

RCX080N25

Tags

RCX0, RCX