DMG6602SVTX-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOT-26-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.4 A, 2.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms, 95 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV, 1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC, 9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.12 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

4 S, 6 S

Otoño:

3 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns, 7.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns, 4.8 ns

Tags

DMG6602, DMG66, DMG6, DMG