PUMT1,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 1 mA, 6 V

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Nexperia

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

PUMT1 T/R

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

PUMT1,1, PUMT1, PUMT, PUM