NTB18N06T4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

48.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.29 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

9.65 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

6.8 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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