2N5643

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Poder bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

5

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

35 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Corriente continua del colector:

5 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

MT72

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

175 MHz

Escribe:

Potencia bipolar RF

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Pd - Disipación de energía:

60 W

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.105822 oz

Tags

2N564, 2N56, 2N5