RQ1C065UNTR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSMT-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

58 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

2.4 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

6 S

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

RQ1C065UN

Tags

RQ1C06, RQ1C0, RQ1C, RQ1