SQJ504EP-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.5 mOhms, 17 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

30 nC, 85 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

34 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

35 S, 30 S

Otoño:

5 ns, 7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns, 6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns, 45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns, 15 ns

Tags

SQJ50, SQJ5, SQJ