IPI110N20N3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

88 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10.7 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

65 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.45 mm

Longitud:

10.2 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 nS

Parte # Alias:

IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304

Unidad de peso:

0.084199 oz

Tags

IPI110, IPI11, IPI1, IPI