FDZ201N

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

BGA-12

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.6 mm

Longitud:

2.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

33 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

FDZ201N_NL

Tags

FDZ20, FDZ2, FDZ