FDMS8660AS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

28 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.1 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

FDMS8660AS

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Unidad de peso:

0.002402 oz

Tags

FDMS8660, FDMS866, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM