DMG5802LFX-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

W-DFN5020-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

24 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

31.3 nC, 31.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

980 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMG5802

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

22.45 ns, 22.45 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13.43 ns, 13.43 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32.18 ns, 32.18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.69 ns, 3.69 ns

Unidad de peso:

0.000600 oz

Tags

DMG5, DMG