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TGS2355

TGS2355
Mfr. #:
TGS2355
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGS2355 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGS2355 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Circuitos integrados de interruptor de RF
RoHS:
Y
Número de interruptores:
Único
Configuración del interruptor:
SPDT
Frecuencia de operación:
0.5 GHz to 6 GHz
Pérdida de inserción:
1.3 dB
Aislamiento desactivado - Typ:
40 dB
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Embalaje:
Paquete de gel
Marca:
Qorvo
Alto voltaje de control:
- 48 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Corriente de suministro de funcionamiento:
1 mA
Pd - Disipación de energía:
36.8 W
Tipo de producto:
Circuitos integrados de interruptor de RF
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Circuitos integrados inalámbricos y RF
Parte # Alias:
1097157
Tags
TGS2355, TGS235, TGS23, TGS2, TGS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Switch, SPDT, 0.5 to 6 GHz,1.3 dB IL, 40 dB Isolation, 50 dBm Pwr Handling, DIE, GaN
TGS2355 High Power GaN Switch
Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch that operates from 0.5 to 6GHz. Developed using Qorvo's 0.25um GaN on SiC production process, TGS2355 handles up to 100W input power with <1dB insertion loss over most of the operating band and greater than 40dB isolation. The TGS2355 is housed in a small 2.14 x 2.50mm die size and requires very little control current. The design enables easy system integration without impacting system power budgets. TGS2355 is ideally suited for high-power switching applications across both defense and commercial applications.Learn More
GaN Switches
Qorvo GaN Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FET's are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TGS2355-SM
DISTI # 772-TGS2355-SM		QorvoRF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
RoHS: Compliant		9
  • 1:$134.0000
  • 25:$115.0000
TGS2355
DISTI # 772-TGS2355		QorvoRF Switch ICs .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
RoHS: Compliant		0
  • 50:$89.0000
  • 100:$76.0000
TGS2355-SM_EVAL
DISTI # 772-TGS2355-SM_EVAL		QorvoSwitch Development Tools .5-6GHz Iso >25dB EVAL BOARD
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1,172.0000
Imagen Parte # Descripción
TGSAD-290V6LF

Mfr.#: TGSAD-290V6LF

OMO.#: OMO-TGSAD-290V6LF-1190

 Telecom Transformer 1:3 2500Vrms 0.8Ohm Prim. DCR Surface Mount - Rail/Tube (Alt: TGSAD-290V6LF)
TGS4310-SM

Mfr.#: TGS4310-SM

OMO.#: OMO-TGS4310-SM-285

 RF Switch ICs 13-19GHz SPDT 2 Watt IL
TGS2602-A00/B00

Mfr.#: TGS2602-A00/B00

OMO.#: OMO-TGS2602-A00-B00-1190

 Nuevo y original
TGS2603

Mfr.#: TGS2603

OMO.#: OMO-TGS2603-1190

 Nuevo y original
TGS3870-B00

Mfr.#: TGS3870-B00

OMO.#: OMO-TGS3870-B00-1190

 Nuevo y original
TGS4305

Mfr.#: TGS4305

OMO.#: OMO-TGS4305-1190

 Nuevo y original
TGSDRH6D38P-4R7N

Mfr.#: TGSDRH6D38P-4R7N

OMO.#: OMO-TGSDRH6D38P-4R7N-1190

 Nuevo y original
TGSP-5796ERTR

Mfr.#: TGSP-5796ERTR

OMO.#: OMO-TGSP-5796ERTR-1190

 Nuevo y original
TGSP-CIS2NXRL

Mfr.#: TGSP-CIS2NXRL

OMO.#: OMO-TGSP-CIS2NXRL-1190

 Nuevo y original
TGSP-RF06NS8RL

Mfr.#: TGSP-RF06NS8RL

OMO.#: OMO-TGSP-RF06NS8RL-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
50
En orden:
2033
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TGS2355 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
89,00 US$
4 450,00 US$
100
76,00 US$
7 600,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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