ALD1108EPCL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Dispositivos lineales avanzados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PDIP-16

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

10 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

500 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

990 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

0 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 70 C

Pd - Disipación de energía:

600 mW

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ALD1108EP

Tipo de transistor:

4 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Marca:

Dispositivos lineales avanzados

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.036156 oz

Tags

ALD1108E, ALD1108, ALD110, ALD11, ALD1, ALD