IRFH7932TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

104 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.35 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.4 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Fuerte IRFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

59 S

Otoño:

20 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

48 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

23 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Parte # Alias:

SP001556482

Tags

IRFH7932TRP, IRFH7932T, IRFH7932, IRFH793, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF