CSD16323Q3C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-Clip-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

CSD16323Q3C

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

108 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.001623 oz

Tags

CSD16323, CSD1632, CSD163, CSD16, CSD1, CSD