IXTJ4N150

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.5 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

44.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

110 W

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.34 mm

Longitud:

6.13 mm

Serie:

IXTJ4N150

Escribe:

MOSFET de potencia de alto voltaje

Ancho:

5.21 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

23 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IXTJ, IXT