SIR170DP-T1-RE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

95 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 5.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

93 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Modo de canal:

Agotamiento

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Marca:

Vishay / Siliconix

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

43 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Tags

SIR17, SIR1, SIR