D1211UK

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

TT Electronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Ganar:

10 dB

Potencia de salida:

10 W

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Configuración:

Único

Altura:

2.18 mm

Longitud:

5.08 mm

Frecuencia de operación:

500 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

4.06 mm

Marca:

Electrónica Semelab / TT

Pd - Disipación de energía:

30 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V to 7 V

Tags

D1211, D121, D12