CMPDM203NH TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23F

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

33 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

600 mV

Qg - Carga de puerta:

6.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CMPDM2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

10.5 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

CMPDM203NH PBFREE TR

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

CMPDM, CMPD, CMP