AFT18P350-4S2LR6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

16.1 dB

Potencia de salida:

63 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-1230-4

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

1805 MHz to 1880 MHz

Serie:

AFT18P350_4S2L

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

150

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.2 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.9 V

Parte # Alias:

935317727128

Unidad de peso:

0.300472 oz

Tags

AFT18, AFT1, AFT